| Pré-requis |
| Physique des semiconducteurs. Technologie des composants semiconducteurs. |
| Objectifs de l'enseignement |
| Ces TP présentent les différentes techniques de caractérisations électriques de composants MOS (transistors, résistances, capacités) ainsi que des techniques d'extraction de paramètres physiques ou de modélisation de la technologie étudiée. Le but est de comprendre les effets de ces différents paramètres sur le fonctionnement des composants MOS, ainsi que les limites induites par la technologie de fabrication. |
| Programme détaillé |
| Caractérisation électrique sous pointes des composants MOS fabriqués par les étudiants au cours du stage de technologie à Rennes. Présentation des techniques d'extraction des paramètres physiques et électriques issus des mesures sur les transistors MOS ainsi que des paramètres de modélisation SPICE. Etude des effets dimensionnels, comportements parasites et limites de fonctionnement induite par la géométrie et la technologie de fabrication. Caractérisations électriques sous pointes de résistances MOS intégrées de différentes longueurs et largeurs et extraction de paramètres physiques caractérisant la technologie étudiée. Mesures de la caractéristique C(V) de composants MOS puis analyse des paramètres physiques et électriques issus de ces mesures. Utilisation d'un logiciel de simulation technologique permettant de simuler les différentes étapes technologiques intervenant dans la fabrication de composants intégrés, le procédé simulé étant celui utilisé à Rennes lors du stage de technologie. |
| Applications (TD ou TP) |
| . |
| Compétences acquises |
| Connaissance théorique de différentes structures MOS (transistors, résistances, capacités). Connaissance de techniques de mesures DC et AC. Connaissance de techniques d'extraction de paramètres physiques et électriques sur ces différents composants. Connaissance des effets de ces paramètres sur le fonctionnement des composants MOS et des limites des technologies étudiées. Notion de modélisation SPICE. |
| Bibliographie |
| S.M. Sze, « Physics of Semiconductor devices », ed. John Wiley and Sons Nicollian and Brews, « MOS Physics and technology », ed. John Wiley and Sons G. Massobrio et al., « Semiconductor device modeling with Spice », ed. Mc Graw Hill |
