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Stage en technologie

2E2AF3 Stage en technologie Electronique et Physique appliquée S4
Cours : 9 h TD : 0 h TP : 24 h Projet : 0 h Total : 33 h
Responsable : Aziz Doukkali
Pré-requis
Notions de technologie des Semiconducteurs. Notions de Physique des dispositifs à semiconducteurs.
Objectifs de l'enseignement
Le stage de Technologie se déroule en salle blanche sur une durée d'une semaine. Il est précédé d'un cours de présentation des technologies microélectronique. Lors du stage les étudiants réalisent un transistor PMOS selon une technologie en quatre masques. Les principales techniques sont ainsi mise en oeuvre, gravure, dopage, oxydation sèche et humide, métallisation. Le stage s'achève par la caractérisation des transistors résalisés.
Programme détaillé
Oxydation humide. Photolithogravure masque 1 Gravure drain et source Photolithogravure masque 2 Gravure de zone de grille. Photolithogravure masque 3 Gravure des prises de contact Métallisation Photolithogravure masque 4 Gravure finale des pistes
Applications (TD ou TP)
TP de caractérisation sous pointes.
Compétences acquises
Travail en salle blanche. Mise en oeuvre des principales technologie de fabrication des dispositifs à Semiconducteur.
Bibliographie
A. S. Grove, Physique et technologie des dispositifs à semiconducteurs. S. Wolf Silicon processing, Tome 1. S.M. Sze, Physic of Semiconductor Devices.

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